PEMD10,115,PEMD10,115 pdf中文资料,PEMD10,115引脚图,PEMD10,115电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PEMD10,115

PEMD10,115: 产品描述100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小927KB，共16页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PEMD10,115概述

100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 50 V, 2 通道, NPN和PNP, 硅, 小信号晶体管

PEMD10,115规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	NXP Semiconduc
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOT
包装说明	PLASTIC PACKAGE-6
针数	6
制造商包装代码	SOT666
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PEMD10,115相似产品对比

	PEMD10,115	PEMD10/DG,115	PUMD10,115	PUMD10,135	PUMD10,125	PUMD10/DG,115
描述	100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP	100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Brand Name	NXP Semiconduc	-	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	-
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	-
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-
零件包装代码	SOT	-	TSSOP	TSSOP	TSSOP	-
针数	6	-	6	6	6	-
制造商包装代码	SOT666	-	SOT363	SOT363	SOT363	-
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli	compli	-
元件数量	2	2	2	-	-	2
端子数量	6	6	6	-	-	6
表面贴装	YES	Yes	YES	-	-	Yes
端子形式	FLAT	FLAT	GULL WING	-	-	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-	-	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	-	SILICON

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