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BZT55B18L1G

产品描述Zener Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小357KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZT55B18L1G概述

Zener Diode

BZT55B18L1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BZT55B2V4 - BZT55B75
Taiwan Semiconductor
500mW 2% Zener Diodes
FEATURES
Wide zener voltage range selection: 2.4V to 75V
VZ Tolerance Selection of ± 2%
Surface device type mountin
Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
● Halogen-free according to IEC 61249-2-21
KEY PARAMETERS
PARAMETER
V
Z
Test current I
ZT
P
tot
V
F
at I
F
=10mA
T
J
Max.
Package
Configuration
VALUE
2.4-75
5
500
1
175
LS34
Single dice
UNIT
V
mA
mW
V
°C
APPLICATIONS
Low voltage stabilzers or voltage references
Adapters
Lighting application
On-board DC/DC converter
MECHANICAL DATA
● Case: Mini-MELF (Glass Seal)
● Packing code with suffix "G" means green compound
(halogen-free)
● Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002
● Polarity: Indicated by cathode band
● Weight: 29 ± 2.5mg (approximately)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Forward voltage @ I
F
=10mA
Total power dissipation
Junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL
V
F
P
tot
T
J
T
STG
PART NUMBER
1
500
-65 to +175
-65 to +175
UNIT
V
mW
°C
°C
THERMAL PERFORMANCE
PARAMETER
Junction-to-ambient thermal resistance
SYMBOL
R
ӨJA
LIMIT
500
UNIT
°C/W
1
Version:H1610
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