100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
100 mA, 40 V, NPN, 硅, 小信号晶体管, TO-236AB
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | NXP Semiconductor |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-236 |
| 包装说明 | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT23 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 180 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 1200 ns |
| 最大开启时间（吨） | 110 ns |
| VCEsat-Max | 0.3 V |
| PMBS3904,235 | PMBS3904,215 | PMBS3904/DG,215 | PMBS3904 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | NPN general purpose transistor |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 表面贴装 | YES | YES | Yes | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | 双 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | 开关 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | 硅 | SILICON |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-236 | TO-236 | - | SOT-23 |
| 包装说明 | PLASTIC PACKAGE-3 | PLASTIC PACKAGE-3 | - | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数 | 3 | 3 | - | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | - | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | - | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 4 pF | 4 pF | - | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V | - | 40 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 | - | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB | TO-236AB | - | TO-236AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | - | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - | 1 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | - | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W | 0.25 W | - | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | - | 30 |
| 标称过渡频率 (fT) | 180 MHz | 180 MHz | - | 180 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 1200 ns | 1200 ns | - | 1200 ns |
| 最大开启时间（吨） | 110 ns | 110 ns | - | 110 ns |
| VCEsat-Max | 0.3 V | 0.3 V | - | 0.3 V |
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