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2SK1152(L)-(1)

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小58KB,共11页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SK1152(L)-(1)概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

2SK1152(L)-(1)规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

2SK1152(L)-(1)相似产品对比

2SK1152(L)-(1) 2SK1151(S)-(1) 2SK1151(S)-(3) 2SK1151(S)-(2) 2SK1152(S)-(3) 2SK1152(S)-(2)
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
配置 Single Single Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W
表面贴装 NO YES YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

 
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