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MSICSN05120

产品描述5 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-257AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小190KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MSICSN05120概述

5 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-257AA

MSICSN05120规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-257AA
包装说明TO-257, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON CARBIDE
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度225 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE

MSICSN05120相似产品对比

MSICSN05120 MSiCSS05120 MSiCSX05120 MSiCST05120
描述 5 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-257AA 5 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE 5 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE 5 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-205AF
厂商名称 Microsemi Microsemi - Microsemi
包装说明 TO-257, 3 PIN R-XBCC-N3 - TO-39, 3 PIN
针数 3 3 - 2
Reach Compliance Code unknow unknow - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
应用 POWER POWER - POWER
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON CARBIDE SILICON CARBIDE - SILICON CARBIDE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-XSFM-P3 R-XBCC-N3 - O-MBCY-W3
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A - 30 A
元件数量 1 1 - 1
相数 1 1 - 1
端子数量 3 3 - 3
最高工作温度 225 °C 225 °C - 225 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C - -65 °C
最大输出电流 5 A 5 A - 5 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT CHIP CARRIER - CYLINDRICAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V 1200 V - 1200 V
表面贴装 NO YES - NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 PIN/PEG NO LEAD - WIRE
端子位置 SINGLE BOTTOM - BOTTOM

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