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RN1225(TPE4)

产品描述TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小250KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1225(TPE4)概述

TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1225(TPE4)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)90
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz

RN1225(TPE4)相似产品对比

RN1225(TPE4) RN1227(TPE4) RN1222(TPE4) RN1226(TPE4) RN1223(TPE4) RN1224(TPE4)
描述 TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.22 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 90 90 65 90 70 90
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz 300 MHz
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) - - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
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