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APTGF75H120TG_10

产品描述100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小534KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTGF75H120TG_10概述

100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

100 A, 1200 V, N沟道 IGBT

APTGF75H120TG_10规格参数

参数名称属性值
端子数量14
额定关断时间390 ns
最大集电极电流100 A
最大集电极发射极电压1200 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-14
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层TIN SILVER COPPER
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
壳体连接ISOLATED
元件数量4
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间190 ns

 
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