1N6642: 产品描述0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小49KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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1N6642概述

0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.3 A, 75 V, 硅, 信号二极管, DO-35

1N6642规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-35
包装说明	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-LALF-W2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.3 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	75 V
最大反向恢复时间	0.005 µs
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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• 1N6638,1N6642, 1N6643 AVAILABLE IN

JAN, JANTX, JANTXV,

AND

JANS

PER MIL-PRF-19500/578

• SWITCHING DIODES

• NON-CAVITY GLASS PACKAGE

• METALLURGICALLY BONDED

1N6638

1N6642

1N6643

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Operating Current: 300 mA

Derating: 3.0 mA/°C Above TL = + 75°C @L = 3/8”

Surge Current: I

FSM

= 2.5A, half sine wave, Pw = 8.3ms

0.056/0.075

1.42/1.91

POLARITY

BAND

(CATHODE)

0.140/0.180

3.55/4.57

1.00

25.4

0.018/0.022

0.46/0.56

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

@ 25°C, unless otherwise specified.

V BR

@IR

=100µA

V RWM

V F1

I FM

= 10 mA

(Pulsed)

V dc

0.8

1.0

V dc

1.1

1.2

V F2 @ I F2

t fr

= 50 mA

t rr

TYPES

(Pulsed)

200

100

4.5

5.0

6.0

FIGURE 1

V(PK)

(min)

1N6638

1N6642

1N6643

150

100

V(PK)

125

DESIGN DATA

CASE:

Hermetically sealed, “D” Body

per MIL-PRF- 19500/578. D-5D

LEAD MATERIAL:

Copper clad steel

LEAD FINISH:

Tin / Lead

THERMAL RESISTANCE: (R

OJL): 160

°C/W maximum at L = .375

THERMAL IMPEDANCE: (Z

OJX): 25

°C/W maximum

POLARITY:

Cathode end is banded.

I R1

TYPES

= 20 V

nA dc

I R2

@V R

= V RWM

µA dc

I R3

V R = 20 V

TA = 150°C

µA dc

I R4

V R = V RWM

TA = 150°C

µA dc

C T1

VR=

C T2

VR=

1.5V

1N6638

1N6642

1N6643

0.5

100

160

2.5

5.0

2.0

2.8

MOUNTING POSITION:

Any

6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841

PHONE (978) 620-2600

FAX (781) 689-0803

WEBSITE: http://www.microsemi.com

1N6642相似产品对比

	1N6642	1N6638_03	1N6638
描述	0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	0.2 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.2 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
厂商名称	Microsemi	-	Microsemi
零件包装代码	DO-35	-	DO-35
包装说明	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2	-	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数	2	-	2
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED
配置	SINGLE	-	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-LALF-W2	-	O-LALF-W2
JESD-609代码	e0	-	e0
元件数量	1	-	1
端子数量	2	-	2
最高工作温度	175 °C	-	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-	-65 °C
最大输出电流	0.3 A	-	0.3 A
封装主体材料	GLASS	-	GLASS
封装形状	ROUND	-	ROUND
封装形式	LONG FORM	-	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	75 V	-	125 V
最大反向恢复时间	0.005 µs	-	0.0045 µs
表面贴装	NO	-	NO
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD
端子形式	WIRE	-	WIRE
端子位置	AXIAL	-	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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