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1N6638_03

产品描述0.2 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小49KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6638_03概述

0.2 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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• 1N6638,1N6642, 1N6643 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV,
AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/578
• SWITCHING DIODES
• NON-CAVITY GLASS PACKAGE
• METALLURGICALLY BONDED
1N6638
1N6642
1N6643
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 300 mA
Derating: 3.0 mA/°C Above TL = + 75°C @L = 3/8”
Surge Current: I
FSM
= 2.5A, half sine wave, Pw = 8.3ms
0.056/0.075
1.42/1.91
POLARITY
BAND
(CATHODE)
0.140/0.180
3.55/4.57
1.00
25.4
0.018/0.022
0.46/0.56
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
V BR
@IR
=100µA
V RWM
V F1
I FM
= 10 mA
(Pulsed)
V dc
0.8
0.8
1.0
V dc
1.1
1.2
1.2
V F2 @ I F2
t fr
IF
= 50 mA
t rr
TYPES
(Pulsed)
mA
200
100
100
ns
20
20
20
ns
4.5
5.0
6.0
FIGURE 1
V(PK)
(min)
1N6638
1N6642
1N6643
150
100
75
V(PK)
125
75
50
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed, “D” Body
per MIL-PRF- 19500/578. D-5D
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJL): 160
°C/W maximum at L = .375
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 25
°C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
I R1
TYPES
VR
= 20 V
nA dc
I R2
@V R
= V RWM
µA dc
I R3
V R = 20 V
TA = 150°C
µA dc
I R4
V R = V RWM
TA = 150°C
µA dc
C T1
VR=
0V
pF
C T2
VR=
1.5V
pF
1N6638
1N6642
1N6643
35
25
50
0.5
0.5
0.5
50
50
75
100
100
160
2.5
5.0
5.0
2.0
2.8
2.8
MOUNTING POSITION:
Any
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (781) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
75

1N6638_03相似产品对比

1N6638_03 1N6638 1N6642
描述 0.2 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
是否无铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
厂商名称 - Microsemi Microsemi
零件包装代码 - DO-35 DO-35
包装说明 - HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数 - 2 2
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 - O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 - e0 e0
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 2
最高工作温度 - 175 °C 175 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C
最大输出电流 - 0.3 A 0.3 A
封装主体材料 - GLASS GLASS
封装形状 - ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 - 125 V 75 V
最大反向恢复时间 - 0.0045 µs 0.005 µs
表面贴装 - NO NO
端子面层 - TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 - WIRE WIRE
端子位置 - AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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