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1N6391_10

产品描述25 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小122KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6391_10概述

25 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
HIGH RELIABILITY SCHOTTKY RECTIFIER
Schottky Barrier Rectifier
Low Forward Voltage
Qualified per MIL-PRF-19500/553
600 Amps Surge Rating
Reverse Energy Tested
DEVICES
LEVELS
1N6391
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Working Reverse Voltage
Average Forward Current, T
C
= 125°
Peak Surge Forward Current @ t
p
= 8.3ms, half sinewave,
T
A
= 100°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
V
RWM
V
RRM
I
F
I
FSM
R
θJC
T
J
T
stg
Value
45
45
25
600
2.0
-55°C to 175°C
-55°C to 175°C
Unit
V
V
A
A
°C/W
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Forward Voltage
I
FM
= 5A, T
j
= 25°C*
Forward Voltage
I
FM
= 50A, T
j
= 25°C*
Reverse Current
V
RM
= 45V, T
j
= 25°C
Reverse Current
V
RM
= 45V, T
j
= 125°C*
Reverse Current
V
RM
= 45V, T
C
= 175°C*
Reverse Current
V
RM
= 45V, T
C
= -55°C*
Reverse Energy
L = 260μH
1% Duty Cycle
Capacitance
V
R
= 5V, f = 1MHz, 100KHz
f
1MHz
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%
Note:
Symbol
V
FM
V
FM
I
RM
I
RM
I
RM
I
RM
I
R(OV)
C
T
Min.
Max.
0.5
0.68
1.5
40
220
400
2
2000
Unit
V
V
mA
mA
mA
mA
A
pF
DO-203AA (DO-4)
T4-LDS-0137 Rev. 1 (091728)
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