NDB6051/L86Z概述

48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

NDB6051/L86Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (ID)	48 A
最大漏源导通电阻	0.022 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	144 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	205 ns
最大开启时间（吨）	270 ns

NDB6051/L86Z相似产品对比

	NDB6051/L86Z	NDB6051	NDB6051/S62Z	NDB6051/L99Z	NDP6051	NDP6051/J69Z
描述	48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN	48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ	300 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
最大漏极电流 (ID)	48 A	48 A	48 A	48 A	48 A	48 A
最大漏源导通电阻	0.022 Ω	0.022 Ω	0.022 Ω	0.022 Ω	0.022 Ω	0.022 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	100 W	100 W	100 W	100 W	100 W	100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	144 A	144 A	144 A	144 A	144 A	144 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	NO	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	205 ns	205 ns	205 ns	205 ns	205 ns	205 ns
最大开启时间（吨）	270 ns	270 ns	270 ns	270 ns	270 ns	270 ns
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	-	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	-

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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