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NDP6051

产品描述48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小161KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

NDP6051概述

48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

NDP6051规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)300 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)48 A
最大漏极电流 (ID)48 A
最大漏源导通电阻0.022 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值100 W
最大功率耗散 (Abs)100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)144 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)205 ns
最大开启时间(吨)270 ns

NDP6051相似产品对比

NDP6051 NDB6051 NDB6051/S62Z NDB6051/L99Z NDP6051/J69Z NDB6051/L86Z
描述 48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN 48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN 48A, 50V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 300 mJ 300 mJ 300 mJ 300 mJ 300 mJ 300 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 48 A 48 A 48 A 48 A 48 A 48 A
最大漏源导通电阻 0.022 Ω 0.022 Ω 0.022 Ω 0.022 Ω 0.022 Ω 0.022 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 2 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 100 W 100 W 100 W 100 W 100 W 100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 144 A 144 A 144 A 144 A 144 A 144 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES YES NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 205 ns 205 ns 205 ns 205 ns 205 ns 205 ns
最大开启时间(吨) 270 ns 270 ns 270 ns 270 ns 270 ns 270 ns
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) - - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
外壳连接 - DRAIN DRAIN DRAIN - DRAIN

 
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