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1N486B_08

产品描述0.15 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小40KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N486B_08概述

0.15 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
SWITCHING DIODE
– METALLURGICALLY BONDED
– HERMETICALLY SEALED
– DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
Qualified per MIL-PRF-19500/118
DEVICES
QUALIFIED LEVELS
1N486B
JAN
JANTX
JANTXV
.018" - .022"
.46mm - .56mm
MAXIMUM RATING AT 25°C
Operating Temperature:
Storage Temperature:
Surge Current, sine, 8.3mS:
Total Power Dissipation, 25°C:
Max. Operating Current, 25°C:
D.C. Reverse Voltage (VRWM):
-65°C to +175°C
-65°C to +175°C
2A
500mW
200mA
225V
1.00" - 1.50"
25.4mm – 38.1mm
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
F
Ambient
(°C)
25
-55
I
F
mA
100
100
Min
V
0.8
-
Max
V
1.0
1.2
Ambient
(°C)
25
25
150
V (dc)
225
250
225
I
R
Min
µA
-
-
-
Max
µA
0.025
1.0
5.0
.056" - .075"
1.42mm – 1.9mm
.140" - .180"
3.56mm – 4.57mm
DESIGN DATA
Case:
Hermetically sealed glass package per MIL-PRF-
19500/118 DO-35 outline
Lead Material:
Copper clad steel
Lead Finish:
Tin / Lead
Thermal Impedance (Z
θJX
):
70°C/W maximum
Polarity:
Cathode end is banded
LDS-0030 Rev. 1 (072072)
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