AM2716B-200DI,AM2716B-200DI pdf中文资料,AM2716B-200DI引脚图,AM2716B-200DI电路-Datasheet-电子工程世界

AM2716B-200DI: 产品描述UVPROM, 2KX8, 200ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24; 产品类别存储存储; 文件大小703KB，共14页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com

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AM2716B-200DI概述

UVPROM, 2KX8, 200ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24

AM2716B-200DI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	DIP
包装说明	WDIP, DIP24,.6
针数	24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0
长度	32.0675 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	24
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP
封装等效代码	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	12.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.588 mm
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	NMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

AM2716B-200DI相似产品对比

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描述	UVPROM, 2KX8, 200ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24	UVPROM, 2KX8, 200ns, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 2KX8, 200ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24	UVPROM, 2KX8, 300ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24	UVPROM, 4KX8, 200ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24	UVPROM, 4KX8, 300ns, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 4KX8, 200ns, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 2KX8, 200ns, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32	UVPROM, 2KX8, 300ns, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	QFJ	DIP	DIP	DIP	QFJ	QFJ	QFJ	QFJ
包装说明	WDIP, DIP24,.6	QCCN, LCC32,.45X.55	WDIP, DIP24,.6	WDIP, DIP24,.6	WDIP, DIP24,.6	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN, LCC32,.45X.55
针数	24	32	24	24	24	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	200 ns	200 ns	300 ns	200 ns	300 ns	200 ns	200 ns	300 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T24	R-CQCC-N32	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	32.0675 mm	13.97 mm	32.0675 mm	32.0675 mm	32.0675 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	32768 bit	32768 bit	32768 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	32	24	24	24	32	32	32	32
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	4096 words	4096 words	4096 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	4000	4000	4000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C	85 °C	125 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-40 °C	-55 °C	-
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	4KX8	4KX8	4KX8	2KX8	2KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	WDIP	QCCN	WDIP	WDIP	WDIP	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN
封装等效代码	DIP24,.6	LCC32,.45X.55	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW	CHIP CARRIER	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.588 mm	3.556 mm	5.588 mm	5.588 mm	5.588 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	NO	YES	YES	YES	YES
技术	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS	NMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	MILITARY	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	11.43 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm
厂商名称	AMD(超微)	-	-	-	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)
最大压摆率	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	-	-	-	0.1 mA	0.1 mA

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