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HB56UW873EJN-5: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168; 产品类别存储存储; 文件大小387KB，共36页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56UW873EJN-5概述

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168

HB56UW873EJN-5规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	25.4 mm
最大待机电流	0.0045 A
最大压摆率	1.215 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

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HB56UW873EJN-5/6,

HB56UW865EJN-5/6

64MB Unbuffered EDO DRAM DIMM

8-Mword

72/64-bit, 4k Refresh, 1 Bank Module

(9/8 pcs of 8M

8 components)

ADE-203-860A (Z)

Rev. 1.0

May 20, 1998

Description

The HB56UW873EJN, HB56UW865EJN belong to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family ,

and have been developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The

HB56UW873EJN is a 8 M

72 Dynamic RAM Module, mounted 9 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165805) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM for Presence Detect (PD). The

HB56UW865EJN is a 8 M

64 Dynamic RAM Module, mounted 8 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165805) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM for Presence Detect (PD). The

HB56UW873EJN, HB56UW865EJN offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access

mode. An outline of the HB56UW873EJN, HB56UW865EJN are 168-pin socket type package (dual lead

out). Therefore, the HB56UW873EJN, HB56UW865EJN make high density mounting possible without

surface mount technology. The HB56UW873EJN, HB56UW865EJN provide common data inputs and

outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each SOJ on the its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Outline: 133.35 mm (Length)

25.40 mm (Height)

5.28 mm (Thickness)



Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V

0.3 V

•

High speed



Access time: t

RAC

= 50 ns/60 ns (max)



Access time: t

CAC

= 13 ns/15 ns (max)

HB56UW873EJN-5相似产品对比

	HB56UW873EJN-5	HB56UW873EJN-6	HB56UW865EJN-5	HB56UW865EJN-6
描述	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	SOCKET TYPE PACKAGE-168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	60 ns	50 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit	603979776 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	72	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX72	8MX72	8MX64	8MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
最大待机电流	0.0045 A	0.0045 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	1.215 mA	1.035 mA	1.08 mA	0.92 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

HB56UW873EJN-5

HB56UW873EJN-5概述

HB56UW873EJN-5规格参数

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