Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HB56UW873EJN-6

文档预览

HB56UW873EJN-6: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168; 产品类别存储存储; 文件大小387KB，共36页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HB56UW873EJN-6概述

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168

HB56UW873EJN-6规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIMM
包装说明	SOCKET TYPE PACKAGE-168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	25.4 mm
最大待机电流	0.0045 A
最大压摆率	1.035 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HB56UW873EJN-5/6,

HB56UW865EJN-5/6

64MB Unbuffered EDO DRAM DIMM

8-Mword

72/64-bit, 4k Refresh, 1 Bank Module

(9/8 pcs of 8M

8 components)

ADE-203-860A (Z)

Rev. 1.0

May 20, 1998

Description

The HB56UW873EJN, HB56UW865EJN belong to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family ,

and have been developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The

HB56UW873EJN is a 8 M

72 Dynamic RAM Module, mounted 9 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165805) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM for Presence Detect (PD). The

HB56UW865EJN is a 8 M

64 Dynamic RAM Module, mounted 8 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165805) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM for Presence Detect (PD). The

HB56UW873EJN, HB56UW865EJN offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access

mode. An outline of the HB56UW873EJN, HB56UW865EJN are 168-pin socket type package (dual lead

out). Therefore, the HB56UW873EJN, HB56UW865EJN make high density mounting possible without

surface mount technology. The HB56UW873EJN, HB56UW865EJN provide common data inputs and

outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each SOJ on the its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Outline: 133.35 mm (Length)

25.40 mm (Height)

5.28 mm (Thickness)



Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V

0.3 V

•

High speed



Access time: t

RAC

= 50 ns/60 ns (max)



Access time: t

CAC

= 13 ns/15 ns (max)

HB56UW873EJN-6相似产品对比

	HB56UW873EJN-6	HB56UW865EJN-5	HB56UW865EJN-6	HB56UW873EJN-5
描述	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	SOCKET TYPE PACKAGE-168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	50 ns	60 ns	50 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit	536870912 bit	536870912 bit	603979776 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	64	64	72
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX72	8MX64	8MX64	8MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
最大待机电流	0.0045 A	0.004 A	0.004 A	0.0045 A
最大压摆率	1.035 mA	1.08 mA	0.92 mA	1.215 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

推荐资源

电压比较器LM334在电源电路中的应用电路图

电容-交流电压转换电路

求0.18um工艺库和Hspice工艺库: 做毕设用，大佬们帮帮忙，olb格式的，，，，，，，linux系统用的也行帮忙发邮箱1371369828@qq.com ...; 强迫iu PCB设计

这个1100W的电阻用在UPS上怎么样: Vishay推出业内首款采用小尺寸57mm x 60mm封装的功率厚膜电阻--- LPS1100，可在散热器温度为+25℃的条件下提供1100W的额定功率。LPS1100具有高温降额性能和很宽的阻值范围。LPS1100厚膜电阻是无 ......; wstt 电源技术

开关电源变压器磁滞损耗分析 -part1开关电源原理与设计(连载57): 2-1-1-8．开关电源变压器磁滞损耗分析由于变压器铁芯存在磁矫顽力，当励磁电流产生的磁场对变压器铁芯进行磁化结束以后，磁通密度不能跟随着磁场强度下降到零；即：励磁电流或磁场强度从最大 ......; noyisi112 电源技术

变流器的问题: 【1】电流型或者电压型PWM整流器中，经常会说到开关过程中的高频分量，或者低频分量既然变流器的功率开关管的工作频率是固定的，那么怎么在开关过程中还会分高频和低频分量呢？【2】对PWM整流 ......; shaorc 综合技术交流

2.4g转usb可以做无线鼠标有图有程序大家一起学习: 感谢楼主分享！请问LZ用的芯片是TI的CC系列的吗？我对那个封装比较好奇。那种封装要量支持的吧。...; xgl_1982 stm32/stm8

成功解决FPGA设计时序问题的三大要点: 成功解决FPGA设计时序问题的三大要点 ...; zxopenljx FPGA/CPLD

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多