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IPD135N03LG_10

产品描述OptiMOS3 Power-Transistor
文件大小1MB,共13页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPD135N03LG_10概述

OptiMOS3 Power-Transistor

IPD135N03LG_10相似产品对比

IPD135N03LG_10 IPD135N03LG IPF135N03LG IPS135N03LG IPU135N03LG
描述 OptiMOS3 Power-Transistor OptiMOS3 Power-Transistor OptiMOS3 Power-Transistor OptiMOS3 Power-Transistor OptiMOS3 Power-Transistor
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合
厂商名称 - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 - TO-252AA TO-252 TO-251 TO-251AA
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 - 4 4 3 3
Reach Compliance Code - compli compli compliant compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 - AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) - 20 mJ 20 mJ 20 mJ 20 mJ
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 30 V 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 30 A 30 A 30 A 30 A
最大漏极电流 (ID) - 30 A 30 A 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 - 0.0135 Ω 0.0135 Ω 0.0135 Ω 0.0135 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 - TO-252AA TO-252 TO-251 TO-251AA
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 - e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 - 1 - 1 1
元件数量 - 1 1 1 1
端子数量 - 2 3 3 3
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 NOT SPECIFIED 260 260
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 31 W 31 W 31 W 31 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 210 A 210 A 210 A 210 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES NO NO
端子面层 - MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 - GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1 1 1

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