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APT5014B2VRG

产品描述Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小172KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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APT5014B2VRG概述

Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3

APT5014B2VRG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-247
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas)1600 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)37 A
最大漏源导通电阻0.14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)148 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

APT5014B2VRG相似产品对比

APT5014B2VRG APT5014B2VR
描述 Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3 Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
零件包装代码 TO-247 TO-247
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant unknown
其他特性 HIGH VOLTAGE HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas) 1600 mJ 1600 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 37 A 37 A
最大漏源导通电阻 0.14 Ω 0.14 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 148 A 148 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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