APT5014B2VR,APT5014B2VR pdf中文资料,APT5014B2VR引脚图,APT5014B2VR电路-Datasheet-电子工程世界

APT5014B2VR: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小172KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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APT5014B2VR概述

Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3

	APT5014B2VR	APT5014B2VRG
描述	Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3	Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3
是否无铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi
零件包装代码	TO-247	TO-247
包装说明	CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	compliant
其他特性	HIGH VOLTAGE	HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）	1600 mJ	1600 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	37 A	37 A
最大漏源导通电阻	0.14 Ω	0.14 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	148 A	148 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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