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BXY18A2

产品描述Step Recovery Diode, S Band to C Band, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小27KB,共1页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BXY18A2概述

Step Recovery Diode, S Band to C Band, Silicon

BXY18A2规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性CHARGE STORAGE VARACTOR
最小击穿电压25 V
配置SINGLE
最大二极管电容1.3 pF
最小二极管电容0.7 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型STEP RECOVERY DIODE
频带S BAND TO C BAND
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END

BXY18A2相似产品对比

BXY18A2 BXY18AB6 BBY33BB2 BBY33DA2
描述 Step Recovery Diode, S Band to C Band, Silicon Step Recovery Diode, L Band to KU Band, Silicon Variable Capacitance Diode, 1.2pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt Variable Capacitance Diode, 30V, Silicon, Abrupt
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS
包装说明 O-CEMW-N2 O-CEMW-N2 O-XEMW-N2 O-XEMW-N2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 25 V 15 V 25 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 STEP RECOVERY DIODE STEP RECOVERY DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 O-CEMW-N2 O-CEMW-N2 O-XEMW-N2 O-XEMW-N2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END END END

 
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