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BBY33BB2

产品描述Variable Capacitance Diode, 1.2pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小27KB,共1页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BBY33BB2概述

Variable Capacitance Diode, 1.2pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt

BBY33BB2规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明O-XEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压25 V
配置SINGLE
最小二极管电容比2.5
标称二极管电容1.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码O-XEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数4000
最大重复峰值反向电压25 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

BBY33BB2相似产品对比

BBY33BB2 BXY18AB6 BXY18A2 BBY33DA2
描述 Variable Capacitance Diode, 1.2pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt Step Recovery Diode, L Band to KU Band, Silicon Step Recovery Diode, S Band to C Band, Silicon Variable Capacitance Diode, 30V, Silicon, Abrupt
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS
包装说明 O-XEMW-N2 O-CEMW-N2 O-CEMW-N2 O-XEMW-N2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 25 V 15 V 25 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE STEP RECOVERY DIODE STEP RECOVERY DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 O-XEMW-N2 O-CEMW-N2 O-CEMW-N2 O-XEMW-N2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END END END

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