IRF251,IRF251 pdf中文资料,IRF251引脚图,IRF251电路-Datasheet-电子工程世界

IRF251: 产品描述30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小197KB，共5页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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IRF251概述

30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

IRF251规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	30 A
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.085 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	220 ns
最大开启时间（吨）	210 ns

IRF251相似产品对比

	IRF251	IRF250R	IRF253R	IRF251R	IRF252
描述	30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE	30A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE	25A, 150V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE	30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE	25A, 200V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V	200 V	150 V	150 V	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	30 A	30 A	25 A	30 A	25 A
最大漏极电流 (ID)	30 A	30 A	25 A	30 A	25 A
最大漏源导通电阻	0.085 Ω	0.085 Ω	0.12 Ω	0.085 Ω	0.12 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AE	TO-204AE	TO-204AE	TO-204AE	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W	150 W	150 W	150 W	150 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W	150 W	150 W	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A	120 A	100 A	120 A	100 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	220 ns	220 ns	220 ns	220 ns	220 ns
最大开启时间（吨）	210 ns	210 ns	210 ns	210 ns	210 ns
雪崩能效等级（Eas）	-	910 mJ	910 mJ	910 mJ	-

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