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IRF251

产品描述30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小197KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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IRF251概述

30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

IRF251规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)220 ns
最大开启时间(吨)210 ns

IRF251相似产品对比

IRF251 IRF250R IRF253R IRF251R IRF252
描述 30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE 30A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE 25A, 150V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE 30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE 25A, 200V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V 200 V 150 V 150 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 30 A 30 A 25 A 30 A 25 A
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A 25 A 30 A 25 A
最大漏源导通电阻 0.085 Ω 0.085 Ω 0.12 Ω 0.085 Ω 0.12 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 120 A 120 A 100 A 120 A 100 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 220 ns 220 ns 220 ns 220 ns 220 ns
最大开启时间(吨) 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns
雪崩能效等级(Eas) - 910 mJ 910 mJ 910 mJ -

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