25A, 150V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 910 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 25 A |
最大漏极电流 (ID) | 25 A |
最大漏源导通电阻 | 0.12 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AE |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 150 W |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 100 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 220 ns |
最大开启时间(吨) | 210 ns |
Base Number Matches | 1 |
IRF253R | IRF250R | IRF251 | IRF251R | IRF252 | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | 25A, 150V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE | 30A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE | 30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE | 30A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE | 25A, 200V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 150 V | 200 V | 150 V | 150 V | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 25 A | 30 A | 30 A | 30 A | 25 A |
最大漏极电流 (ID) | 25 A | 30 A | 30 A | 30 A | 25 A |
最大漏源导通电阻 | 0.12 Ω | 0.085 Ω | 0.085 Ω | 0.085 Ω | 0.12 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AE | TO-204AE | TO-204AE | TO-204AE | TO-204AE |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 150 W | 150 W | 150 W | 150 W | 150 W |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W | 150 W | 150 W | 150 W | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 100 A | 120 A | 120 A | 120 A | 100 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 220 ns | 220 ns | 220 ns | 220 ns | 220 ns |
最大开启时间(吨) | 210 ns | 210 ns | 210 ns | 210 ns | 210 ns |
雪崩能效等级(Eas) | 910 mJ | 910 mJ | - | 910 mJ | - |
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