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GS8170S36B-300

产品描述ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA209
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文件大小816KB,共45页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8170S36B-300概述

ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA209

GS8170S36B-300规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
包装说明BGA, BGA209,11X19,40
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B209
JESD-609代码e0
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
端子数量209
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA209,11X19,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流1.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM

GS8170S36B-300相似产品对比

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描述 ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA209 ZBT SRAM, 512KX36, 6.7ns, CMOS, PBGA209 ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA209 ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA209 ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA209 ZBT SRAM, 512KX36, 6.7ns, CMOS, PBGA209 ZBT SRAM, 512KX36, 6.7ns, CMOS, PBGA209 ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA209
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology GSI Technology
包装说明 BGA, BGA209,11X19,40 BGA, BGA209,11X19,40 BGA, BGA209,11X19,40 BGA, BGA209,11X19,40 BGA, BGA209,11X19,40 BGA, BGA209,11X19,40 BGA, BGA209,11X19,40 BGA, BGA209,11X19,40
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 5.5 ns 6.7 ns 5.5 ns 5 ns 5 ns 6.7 ns 6.7 ns 5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK) 300 MHz 250 MHz 300 MHz 333 MHz 333 MHz 250 MHz 250 MHz 300 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209 R-PBGA-B209
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3
端子数量 209 209 209 209 209 209 209 209
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C
组织 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA209,11X19,40 BGA209,11X19,40 BGA209,11X19,40 BGA209,11X19,40 BGA209,11X19,40 BGA209,11X19,40 BGA209,11X19,40 BGA209,11X19,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V 1.5/1.8,1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
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