GS8170S36B-333IT,GS8170S36B-333IT pdf中文资料,GS8170S36B-333IT引脚图,GS8170S36B-333IT电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GS8170S36B-333IT

GS8170S36B-333IT: 产品描述ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA209; 产品类别存储存储; 文件大小816KB，共45页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

GS8170S36B-333IT概述

ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA209

GS8170S36B-333IT规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
包装说明	BGA, BGA209,11X19,40
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B209
JESD-609代码	e0
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
端子数量	209
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA209,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	1.7 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM

GS8170S36B-333IT相似产品对比

	GS8170S36B-333IT	GS8170S36B-250IT	GS8170S36B-300T	GS8170S36B-333T	GS8170S36B-300	GS8170S36B-250T	GS8170S36B-250I	GS8170S36B-300IT
描述	ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA209	ZBT SRAM, 512KX36, 6.7ns, CMOS, PBGA209	ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA209	ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA209	ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA209	ZBT SRAM, 512KX36, 6.7ns, CMOS, PBGA209	ZBT SRAM, 512KX36, 6.7ns, CMOS, PBGA209	ZBT SRAM, 512KX36, 5.5ns, CMOS, PBGA209
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
包装说明	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	5 ns	6.7 ns	5.5 ns	5 ns	5.5 ns	6.7 ns	6.7 ns	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	250 MHz	300 MHz	333 MHz	300 MHz	250 MHz	250 MHz	300 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
端子数量	209	209	209	209	209	209	209	209
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36	512KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最小待机电流	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM

推荐资源

采用μA723构成的浮动式可调稳压电源电路图b

电脑主板电路图 820 1_62

TI DSP--hex2000.exe使用: TI的ccs默认生成的是.out格式的文件，而很多应用场合往往需要的是纯二进制代码，TI提供了一个小工具HEX2000能帮助实现格式的转化，具体的说明还是请参看TMS320C28x Assembly Language Tools手册。这里简单的说明下该工具的使用：1.hex2000是在ccs安装目录下的。2.hex2000 转化工具支持多种输出格式，至于用那种格式，通常是由所用的烧写器来决定的。常...; Jacktang 微控制器 MCU

ir2104驱动ho为什么没有波形: 在做电源pwm驱动电路，为什么ho没pwm波但是测lo有pwm波呢？还有5引脚到底是vs还是lo为什么自己误把5引脚接地，ho端还能出pwm波，看手册上5引脚都是lo啊！！！还有boost升压电路有什么要注意的吗？求各路大神来解答！！！！谢谢...; 刘123 电源技术

求各位推荐一款非隔离5V输出芯片？: 输入宽电压：85 VAC – 265 VAC；非隔离不用变压器5V 200mA输出；最好是国产的比较便宜，第一次做电源，要哭晕了。。。求各位前辈指点一二。。。...; qqqq7772281 电源技术

（转）多种电源常用芯片特性简介: [b][color=black]7800系列三端稳压器（正输出）输出电压固定的三端系列稳压器；输出电压有5V、6V、7V、8V、9V、10V、12V、15V、18V、20V、24V输出电流1A；5～18V输出的最大电压为35V、20V、24V输出的电大输入电压为40V；7800工作温度为-55～+150℃，7800C的为0～+125℃；内含过流限制和安全工作保护电路。类似型号：μA7800、LM7...; qwqwqw2088 模拟与混合信号

Zstack禁用串行口硬件握手的方法: zstack提供的例程，默认是启用了硬件握手功能，该功能让数据通讯更可靠。实际使用中，串行电缆、或者USB转232转换器不支持，硬件握手信号，导致通讯失败的情况不少。以SerialApp为例，说明如何禁用硬件握手功能。...; kata RF/无线

有没有哪位好友那边有MSP430g2553的按键例程。: 哪位好友那边有MSP430g2553的按键例程和io口复用的例程，我急着要，我的邮箱为[email]1255787038@qq.com[/email]。谢谢！...; 一起来看流星雨微控制器 MCU

基于STM32的二维滑台不规则轨迹精密控制

在现代工业控制中步进电机的控制是滑台控制的执行机构。区别于其他控制电机的最大特点是，它是通过输入脉冲信号来进行控制的，即电机的总转动角度由输入脉冲数决定，而电机转速由脉冲信号的频率决定。在很多情况下需要让步进电机控制滑台运动非常精确的距离，且运行轨迹是不规则的，运行时速度需可调。本文首先介绍系统的硬件电路原理;分析了控制滑台运行不规则轨迹的计算方法;在此基础上提出了用定时器中断的方法精确控制PW...[详细]
号称无人驾驶“先驱”，谷歌为啥也会感到焦虑？

整整8年，无人驾驶“先驱”谷歌的研发之路坎坎坷坷，竞争对手的快速崛起正让这家科技巨头感到焦虑。 2月6日，谷歌无人驾驶汽车项目负责人Chris Urmson 三年前写给公司两位创始人Larry Page、Sergey Brin的一份邮件曝光，其中提到了他对谷歌无人驾驶技术发展的忧虑。Urmson在邮件中警告谷歌无人驾驶技术可能会失去优势，称“在过去6个月里的时间里，我们不再为了胜利而战，相反...[详细]
一款无刷电机控制器DIY设计方案

很早之前就想做一款无刷电机控制器，忙于工作一直没有弄。最近有点时间画板，打样，焊接，调试，总算顺利的转起来。期间也遇到很多问题，上网查资料，自己量波形前前后后搞了差不多近一个月，（中间又出差一周）总算搞的差不多了，特意写个总结。板子外观100*60mm 中等大小。DC 12V输入，设计最大电流10A.（实际没试过那么大的电机，手头的电机也就5 6A的样子）硬件上可以切换有感（HALL）和无...[详细]
虚拟电厂的典型应用案例

江苏建成世界最大“虚拟电厂” 2016年6月15日，江苏大规模源网荷友好互动系统初步建成，一期工程共接入810个大用户，该系统为2016年迎峰度夏期间西南水电通过复奉、锦苏及宾金等三回特高压直流2160万千瓦满功率输送时的电网安全稳定运行提供了有力支撑。其中苏州地区已实现1100 MW容量的快切负荷能力即“虚拟电厂”资源。 2017年5月24日，世界首套“大规模源网荷友好互动系统...[详细]
小型变压器设计原则与技巧

　　小型变压器是指2kva以下的电源变压器及音频变压器。小型变压器设计原则与技巧如下：　　 1 变压器截面积的确定　　铁芯截面积a是根据变压器总功率p确定的。设计时，若按负载基本恒定不变，铁芯截面积相应可取通常计算的理论值即a=1.25 。如果负载变化较大，例如一些设备、某些音频、功放电源等，此时变压器的截面积应适当大于普通理论计算值，这样才能保证有足够的功率输出能力。　　 ...[详细]
SPCE061A在智能语音识别避障机器人中的设计应用

　　现代社会中机器人这个词语已经不再新鲜，而且形形色色的机器人出现在我们的日常生活中。为了提高广大单片机爱好者学习单片机的兴趣，在凌阳科技教育推广中心的兴趣产品智能机器人的基础上，配合超声波传感器的使用，使机器人具有障碍检测功能。本文对这个避障机器人的软硬件制作进行介绍。 1 引言　　为了提高广大单片机爱好者学习单片机的兴趣，凌阳科技教育推广中心推出了应用SPCE061A作为主控制器，外加...[详细]
全球网络光纤化光纤光缆行业将持续受益

　　从全球光纤光缆需求层面分析，海外接入网络铜线技术占比高达68%，FTTx覆盖率整体约30%，在全球光纤化的大趋势下，未来海外光纤空间更具潜力。预计未来5年，海外需求复合增速保持10%以上，全球增长有望保持超过7%。而从国内三大运营商未来需求来看，国内光纤高景气至少还将持续2-3年。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。　　此外，5G万物物联时代即将到来，“5G...[详细]
满足物联网应用需求　SoC IP强化能效/安全设计

矽智财(IP)开发商扩大抢攻物联网市场。物联网应用对耗电量和资讯安全的要求愈来愈严格，促使IP业者研发出功率闸控、电压与频率缩放(Scaling)，以及密钥保护和交谈(Session)验证等安全技术，协助系统晶片(SoC)设计商提升省电与安全效能。物联网(IoT)市场正快速兴起，将对半导体元件开发商、原始设备制造商(OEM)、云端服务供应商，以及网际网路的基础架构业者带来深远影响，产...[详细]
STM32MP1开发板连线与启动方式

连线要点跳线要点错误排查连接虚拟机的要点手动允许连接ST-Link 手动允许连接DFU 每次掉电与上电连接会丢失：可以在虚拟机里自动设置在Linux开发环境中查看与开发板的连接 USB：STMicroelectronics STM Device in DFU Mode；Linux Foundation Multifunction Composite Gadget；...[详细]
台积、三星、Intel下半年支出料激增9成

半导体业终于迎来支出旺季！据海外媒体报道，在台积电、三星电子与英特尔三巨头的带动下，今(2016)年下半年半导体业的资本支出有望较上半年跳增2成，2016年全球半导体资本支出将达671亿美元，较2015年的648亿美元增长3%。科技市调机构IC Insights 3日发表研究报告指出，今(2016)年全球半导体的资本支出虽然仅会年增3%、优于去年的2%年减率，但由于台积电、三星与英特尔...[详细]
以儿童指尖交互机器人切入儿童玩教市场，梧童科技完成数百万元天使轮融资

伴随社会经济快速增长，居民消费结构逐渐升级，东方式家庭中浓厚的家庭观念使家长对孩子教育越来越受重视，从应试教育提前到幼儿教育。根据国家统计局公布的数据显示，预计到2020年0－6岁人口约达到1．04亿中国早幼教服务市场的规模从2011年1793亿增长到2018年的6271亿，预计到2020年将达到8146亿。近日，小编采访到梧童科技创始人宋磊，梧童科技主要专注于儿童教育方向的科技产品开发，目...[详细]
正确认识RS-485布线过程中的错误观念

RS485总线由于其布线简单，稳定可靠从而广泛的应用于视频监控，门禁对讲，楼宇报警等各个领域中，但是，在485总线布线过程中由于有很多不完全准确的概念导致出现很多问题。现在将一些错误的观念作出一些澄清。 1. 485信号线可以和强电电源线一同走线。在实际施工当中，由于走线都是通过管线走的，施工方有的时候为了图方便，直接将485信号线和电源线绑在一起，由于强电具有强烈的电磁信号对弱电进行...[详细]
汇编LDR、LDM和STR、STM的区别

（1）LDR：L表示LOAD，LOAD的含义应该理解为：Load from memory into register。下面这条语句就说明的很清楚： LDR R1, R1 /span 就是把R2所指向的存储单元的内容的值（一个memory地址内的值），读取到R1中（一个register）（2）STR：S表示STORE，STORE的含义应该理解为：Store from ...[详细]
向新而生，英特尔移动端独立显卡来了

面向笔记本电脑的英特尔锐炫 A 系列独立显卡率先面市，更多面向台式机和工作站的产品也将于今年发布。作者：英特尔公司副总裁兼显卡与游戏团队总经理 Roger Chandler 数十年来，英特尔一直致力于推动 PC 平台的创新。通过推出历代 CPU 处理器，我们为全球数十亿用户提供了强大的计算能力。我们通过 USB、Thunderbolt™ 和 Wi-Fi 等特性不断推动连接技术的演...[详细]
福建宁德建设世界最大锂离子电池基地

总投资超过二亿美元、占地面积五百亩，香港新能源科技有限公司投资的锂离子电池项目，本月在福建宁德漳湾举行隆重的奠基仪式。该项目设计年产三亿五千只电芯，是当前全世界最大锂电池项目。　　据悉，该项目将带动上中下游产业链的发展，形成一个新能源的产业集群，进而激活新能源项目的进一步发展，必将给地方带来高度繁荣，地方的发展带来新的希望。　　今年三月，由香港新能源科技有限公司(日本TDK全资子公...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多