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SMCJ12

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Unidirectional,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小229KB,共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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SMCJ12概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Unidirectional,

SMCJ12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压16.3 V
最小击穿电压13.3 V
击穿电压标称值14.8 V
最大钳位电压22 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
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