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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C1006D-12VXC
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CY7C1006D-12VXC

产品描述Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOJ-28
产品类别存储    存储   
文件大小143KB，共10页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准  
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CY7C1006D-12VXC概述

Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOJ-28

CY7C1006D-12VXC规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ28,.34
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e4
长度17.907 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.556 mm
最大待机电流0.003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度7.5057 mm

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PRELIMINARY
CY7C106D
CY7C1006D
1-Mbit (256K x 4) Static RAM
Features
• Pin- and function-compatible with
CY7C106B/CY7C1006B
• High speed
— t
AA
= 10 ns
• CMOS for optimum speed/power
• Low active power
— I
CC
= 60 mA @ 10 ns
• Low CMOS standby power
— I
SB2
= 3.0 mA
• Data Retention at 2.0V
• Automatic power-down when deselected
• TTL-compatible inputs and outputs
• Available in Pb-Free packages
Functional Description
[1]
The CY7C106D and CY7C1006D are high-performance
CMOS static RAMs organized as 262,144 words by 4 bits.
Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip
Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and tri-state
drivers. These devices have an automatic power-down feature
that reduces power consumption by more than 65% when the
devices are deselected.
Writing to the devices is accomplished by taking Chip Enable
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the four I/O
pins (I/O
0
through I/O
3
) is then written into the location
specified on the address pins (A
0
through A
17
).
Reading from the devices is accomplished by taking Chip
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of
the memory location specified by the address pins will appear
on the four I/O pins.
The four input/output pins (I/O
0
through I/O
3
) are placed in a
high-impedance state when the devices are deselected (CE
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write
operation (CE and WE LOW).
The CY7C106D is available in a standard 400-mil-wide
Pb-Free SOJ; the CY7C1006D is available in a standard
300-mil-wide Pb-Free SOJ.
Logic Block Diagram
Pin Configuration
SOJ
Top View
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CE
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
INPUT BUFFER
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
ROW DECODER
I/O
3
SENSE AMPS
I/O
2
I/O
1
I/O
0
POWER
DOWN
512 x 512 x 4
ARRAY
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
NC
I/O
3
I/O
2
I/O
1
I/O
0
WE
COLUMN
DECODER
CE
WE
OE
Note:
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.
A
0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
Cypress Semiconductor Corporation
Document #: 38-05459 Rev. *C
•
3901 North First Street
•
San Jose
,
CA 95134
•
408-943-2600
Revised January 11, 2005

CY7C1006D-12VXC相似产品对比

CY7C1006D-12VXC CY7C106D-12VXC CY7C106D-12VXI CY7C1006D-12VXI CY7C106D-10VXC CY7C1006D-10VXC
描述 Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOJ-28 Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-28 Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-28 Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOJ-28 Standard SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-28 Standard SRAM, 256KX4, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOJ-28
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ28,.34 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.34 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.34
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 12 ns 12 ns 12 ns 12 ns 10 ns 10 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4
长度 17.907 mm 18.415 mm 18.415 mm 17.907 mm 18.415 mm 17.907 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ28,.34 SOJ28,.44 SOJ28,.44 SOJ28,.34 SOJ28,.44 SOJ28,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.556 mm 3.7592 mm 3.7592 mm 3.556 mm 3.7592 mm 3.556 mm
最大待机电流 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40
宽度 7.5057 mm 10.16 mm 10.16 mm 7.5057 mm 10.16 mm 7.5057 mm
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) - - Cypress(赛普拉斯)
Base Number Matches - 1 1 1 1 -

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热门器件

  1. HSCDRRN001PG5A5
  2. TSM-131-04-T-DH-P
  3. 240-382WNF18-28SSCDHN
  4. 2-176972-1
  5. QT178T-5-FREQ1
  6. U742929383
  7. RDLR22M6R3CF213X20
  8. CRMA1210AG4K42DKEB
  9. KBJ2510
  10. 1SMB3EZ36-AU_R2_000A1
  11. A2547HE-25P+A2547-GP
  12. TC0325B5600T5E

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