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IXFN64N50PD2: 产品描述50 A, 500 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小189KB，共5页; 制造商IXYS ( Littelfuse ); 官网地址http://www.ixys.com/

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50 A, 500 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

50 A, 500 V, 0.085 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

	IXFN64N50PD2	IXFN64N50PD3
描述	50 A, 500 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	50 A, 500 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量	4	4
最小击穿电压	500 V	500 V
加工封装描述	PLASTIC, MINIBLOC-4	PLASTIC, MINIBLOC-4
无铅	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子涂层	NICKEL	NICKEL
端子位置	UPPER	UPPER
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	ISOLATED	ISOLATED
元件数量	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
通道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	50 A	50 A
额定雪崩能量	2500 mJ	2500 mJ
最大漏极导通电阻	0.0850 ohm	0.0850 ohm
最大漏电流脉冲	200 A	200 A

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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