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IDT8MP612L70S

产品描述SRAM Module, 32KX16, 70ns, CMOS
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文件大小173KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT8MP612L70S概述

SRAM Module, 32KX16, 70ns, CMOS

IDT8MP612L70S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-T40
JESD-609代码e0
内存密度524288 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端子数量40
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码SIP40,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0003 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDT8MP612L70S相似产品对比

IDT8MP612L70S IDT8MP612L85S IDT8MP612L100S IDT8MP624L85S IDT8MP624L100S IDT8MP624L70S
描述 SRAM Module, 32KX16, 70ns, CMOS SRAM Module, 32KX16, 85ns, CMOS SRAM Module, 32KX16, 100ns, CMOS SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS SRAM Module, 64KX16, 70ns, CMOS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 85 ns 100 ns 85 ns 100 ns 70 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 524288 bit 524288 bi 524288 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 40 40 40 40 40 40
字数 32768 words 32768 words 32768 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 32000 32000 32000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX16 32KX16 32KX16 64KX16 64KX16 64KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 225 225 NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0004 A 0.0004 A 0.0004 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA 0.15 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 30 NOT SPECIFIED
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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