IDT8MP612L100S概述

SRAM Module, 32KX16, 100ns, CMOS

IDT8MP612L100S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T40
JESD-609代码	e0
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	40
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP40,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.0003 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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IDT8MP612L100S相似产品对比

	IDT8MP612L100S	IDT8MP612L85S	IDT8MP612L70S	IDT8MP624L85S	IDT8MP624L100S	IDT8MP624L70S
描述	SRAM Module, 32KX16, 100ns, CMOS	SRAM Module, 32KX16, 85ns, CMOS	SRAM Module, 32KX16, 70ns, CMOS	SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS	SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS	SRAM Module, 64KX16, 70ns, CMOS
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	_compli	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	85 ns	70 ns	85 ns	100 ns	70 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-T40	R-XSMA-T40	R-XSMA-T40	R-XSMA-T40	R-XSMA-T40	R-XSMA-T40
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	524288 bit	524288 bi	524288 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	40	40	40	40	40	40
字数	32768 words	32768 words	32768 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	32000	32000	32000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX16	32KX16	32KX16	64KX16	64KX16	64KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIP40,.1	SIP40,.1	SIP40,.1	SIP40,.1	SIP40,.1	SIP40,.1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	225	225	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30	NOT SPECIFIED
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

IDT8MP612L100S

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