BYQ28EB150T/R,BYQ28EB150T/R pdf中文资料,BYQ28EB150T/R引脚图,BYQ28EB150T/R电路-Datasheet-电子工程世界

BYQ28EB150T/R: 产品描述Rectifier Diode, 10A, 150V V(RRM),; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小314KB，共7页; 制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.); 官网地址https://www.nxp.com/

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BYQ28EB150T/R概述

Rectifier Diode, 10A, 150V V(RRM),

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.25 V
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	55 A
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	10 A
最大重复峰值反向电压	150 V
最大反向恢复时间	0.025 µs
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

	BYQ28EB150T/R	BYQ28EB200T/R
描述	Rectifier Diode, 10A, 150V V(RRM),	Rectifier Diode, 10A, 200V V(RRM),
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.25 V	1.25 V
JESD-609代码	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	55 A	55 A
最高工作温度	150 °C	150 °C
最大输出电流	10 A	10 A
最大重复峰值反向电压	150 V	200 V
最大反向恢复时间	0.025 µs	0.025 µs
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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