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CA3018

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 3-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小164KB,共6页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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CA3018概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 3-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

CA3018规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W12
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置COMPLEX
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-MBCY-W12
元件数量3
端子数量12
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)500 MHz

CA3018相似产品对比

CA3018 CA3018A
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 3-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 3-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W12 CYLINDRICAL, O-MBCY-W12
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 15 V 15 V
配置 COMPLEX COMPLEX
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-MBCY-W12 O-MBCY-W12
元件数量 3 3
端子数量 12 12
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 500 MHz 500 MHz
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