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CMPT3646BK

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小38KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT3646BK概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

CMPT3646BK规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量5 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)350 MHz
最大关闭时间(toff)28 ns
最大开启时间(吨)18 ns
VCEsat-Max0.5 V

CMPT3646BK相似产品对比

CMPT3646BK CMPT3646TR13LEADFREE CMPT3646TR CMPT3646TR13 CMPT3646BKLEADFREE
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code unknown compliant unknown not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
基于收集器的最大容量 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF
集电极-发射极最大电压 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 15 15 15 15
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e3 e0 e0 e3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN (315) TIN LEAD TIN LEAD MATTE TIN (315)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 350 MHz 350 MHz 350 MHz 350 MHz 350 MHz
最大关闭时间(toff) 28 ns 28 ns 28 ns 28 ns 28 ns
最大开启时间(吨) 18 ns 18 ns 18 ns 18 ns 18 ns
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W - 0.35 W - 0.35 W
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