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5302DL-TN3-R

产品描述HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR WITH DIODE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小30KB,共2页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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5302DL-TN3-R概述

HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR WITH DIODE

5302DL-TN3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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