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5302DG-T92-B: 产品描述HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR WITH DIODE; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小30KB，共2页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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5302DG-T92-B概述

HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR WITH DIODE

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码	TO-92
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	400 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)	5
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	1.6 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	1300 ns
最大开启时间（吨）	300 ns
VCEsat-Max	1.5 V

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