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PJD13N10A_L2_00001

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJD13N10A_L2_00001概述

Power Field-Effect Transistor

PJD13N10A_L2_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)6.1 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)2.9 A
最大漏源导通电阻0.115 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)52 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
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