6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
| 6N10 | 6N10G-TN3-R | 6N10L-TN3-R | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | 6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | 6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | - | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 零件包装代码 | - | TO-252 | TO-252 |
| 包装说明 | - | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | - | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | - | compli | compli |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | - | 100 V | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 6.5 A | 6.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 6.5 A | 6.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | - | 0.2 Ω | 0.2 Ω |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | - | TO-252 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | - | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 2 | 2 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | - | 16 W | 16 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 8 A | 8 A |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | - | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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