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6N10G-TN3-R

产品描述6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小148KB,共5页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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6N10G-TN3-R概述

6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

6N10G-TN3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.5 A
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)16 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

6N10G-TN3-R相似产品对比

6N10G-TN3-R 6N10L-TN3-R 6N10
描述 6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
零件包装代码 TO-252 TO-252 -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -
针数 4 4 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 100 V 100 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.5 A 6.5 A -
最大漏极电流 (ID) 6.5 A 6.5 A -
最大漏源导通电阻 0.2 Ω 0.2 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 16 W 16 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8 A 8 A -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -

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