电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

6N90L-TF1-T

产品描述6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小183KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

6N90L-TF1-T概述

6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

6N90L-TF1-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)650 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.2 A
最大漏极电流 (ID)6.2 A
最大漏源导通电阻2.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

6N90L-TF1-T相似产品对比

6N90L-TF1-T 6N90G-TA3-T 6N90G-TF3-T 6N90 6N90G-TF1-T 6N90L-TA3-T 6N90L-TF3-T
描述 6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB - TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3 - 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compli compliant - compliant compli compliant
雪崩能效等级(Eas) 650 mJ 650 mJ 650 mJ - 650 mJ 650 mJ 650 mJ
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED - ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 900 V 900 V 900 V - 900 V 900 V 900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.2 A 6.2 A 6.2 A - 6.2 A 6.2 A 6.2 A
最大漏极电流 (ID) 6.2 A 6.2 A 6.2 A - 6.2 A 6.2 A 6.2 A
最大漏源导通电阻 2.3 Ω 2.3 Ω 2.3 Ω - 2.3 Ω 2.3 Ω 2.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB - TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 - 1 1 1
端子数量 3 3 3 - 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 56 W 167 W 56 W - 56 W 167 W 56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 24 A 24 A 24 A - 24 A 24 A 24 A
表面贴装 NO NO NO - NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 916  1097  1181  1596  1604 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved