NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED
®
RG-Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED
®
RG-Package
SFH 3211
SFH 3211 FA
SFH 3211
SFH 3211 FA
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 380 nm bis 1150 nm (SFH 3211) und bei
880 nm (SFH 3211 FA)
• Hohe Linearität
• Gruppiert lieferbar
• Für alle Lötverfahren geeignet
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 3211
SFH 3211-3
SFH 3211-3/-4
SFH 3211-4
SFH 3211 FA
SFH 3211 FA-3
SFH 3211 FA-3/-4
SFH 3211 FA-4
Bestellnummer
Ordering Code
on request
on request
on request
on request
on request
on request
on request
on request
Features
• Especially suitable for applications from
380 nm to 1150 nm (SFH 3211) and of 880 nm
(SFH 3211 FA)
• High linearity
• Available in groups
• Suitable for all soldering methods
Applications
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Punched tape readers
Industrial electronics
For control and drive circuits
Gehäuse
Package
Kollektorkennzeichnung: abgesetzte Ecke
Collector marking: bevelled edge
TOPLED Reverse Gullwing
weißes Gehäuse, klares Fenster
white package, colorless clear window
Kollektorkennzeichnung: abgesetzte Ecke
Collector marking: bevelled edge
TOPLED Reverse Gullwing
weißes Gehäuse, schwarzer Tageslichtsperrfilter
white package, black daylight cutoff filter
2001-02-22
1
SFH 3211, SFH 3211 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
35
15
75
165
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
mA
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
2001-02-22
2
SFH 3211, SFH 3211 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240
µm)
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
SFH 3211
λ
S max
λ
860
380
…
1150
Wert
Value
SFH 3211 FA
900
730
…
1120
nm
nm
Einheit
Unit
A
L
×
B
L
×
W
H
0.045
0.45
×
0.45
0.5
…
0.7
0.045
0.45
×
0.45
0.5
…
0.7
mm
2
mm
×
mm
mm
ϕ
±
60
5.0
1 (≤ 200)
±
60
5.0
1 (≤ 200)
Grad
deg.
pF
nA
C
CE
I
CEO
2001-02-22
3
SFH 3211, SFH 3211 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
SFH
3211/FA
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 3211:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/
standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
-2
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
≥
16
16
…
32
420
25
…
50
650
7
40
…
80
1000
8
µA
µ
A
7
6
µs
Kollektor-Emitter-
V
CEsat
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.1 mW/cm
2
1)
1)
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-02-22
4
SFH 3211, SFH 3211 FA
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 3211
S
rel
=
f
(λ)
100
S
rel
%
80
OHF01121
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 3211 FA
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Ι
PCE
10
3
µ
A
OHF01924
10
2
60
10
1
4
3
2
40
10
0
20
0
400
600
800
1000 nm 1200
λ
10
-1 -3
10
10
-2
mW/cm
2
E
e
10
0
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
200
mW
P
tot
160
OHF00871
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= Parameter
Ι
PCE
10
0
mA
OHF01529
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Ι
CEO
10
1
nA
OHF01527
mW
1
2
cm
0.5
mW
cm
2
mW
cm
2
10
0
120
0.25
10
-1
10
-1
0.1
mW
cm
2
80
10
-2
40
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
10
-2
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
10
-3
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
Dark Current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V,
E
= 0
Ι
CEO
10
3
nA
OHF01530
Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
5.0
C
CE
pF
4.0
OHF01528
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25°
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Ι
PCE 25
1.4
1.2
Ι
PCE
1.6
OHF01524
10
2
3.5
3.0
1.0
0.8
0.6
0.4
10
1
2.5
2.0
1.5
10
0
1.0
0.5
0.2
10
-1
-25
0
25
50
75 ˚C 100
T
A
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
0
-25
0
25
50
75 C 100
T
A
2001-02-22
5
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