SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 110 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 50 MHz |

| CMPT992P | CMPT992 | CMPT992F | CMPT992_10 | CMPT992E | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR | SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR | SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR | SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR | SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | - | Central Semiconductor |
| 零件包装代码 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | - | SOT-23 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | - | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | _compli | - | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE | - | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A | - | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 110 V | 110 V | 110 V | - | 110 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 200 | 200 | 300 | - | 400 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | - | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | - | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | - | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | - | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | - | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | - | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 50 MHz | 50 MHz | 50 MHz | - | 50 MHz |
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