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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMPT992F
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CMPT992F

产品描述SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小332KB，共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPT992F概述

SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR

CMPT992F规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压110 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

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CMPT992
CMPT992P
CMPT992F
CMPT992E
SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE
SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types
are PNP silicon low noise transistors manufactured by
the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for low noise amplifier
applications where a high BVCEO is required.
MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON
FOLLOWING PAGE.
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
110
110
5.0
50
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=100μA
110
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
fT
Cob
NF
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=6.0V, IC=1.0mA
VCE=6.0V, IC=1.0mA
VCB=30V, IE=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ,
f=10Hz to 15.7KHz
CMPT992
MIN MAX
150
-
200
800
CMPT992P
MIN MAX
150
-
200
400
110
5.0
MAX
30
UNITS
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
dB
CMPT992E
MIN MAX
150
-
400
800
0.30
0.55
50
0.65
3.0
3.0
CMPT992F
MIN MAX
150
-
300
600
hFE
hFE
VCE=6.0V, IC=100μA
VCE=6.0V, IC=1.0mA
R2 (1-February 2010)

CMPT992F相似产品对比

CMPT992F CMPT992 CMPT992_10 CMPT992E CMPT992P
描述 SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE SILICON TRANSISTOR
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 - SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 - 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli - _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE - LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A - 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 110 V 110 V - 110 V 110 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 300 200 - 400 200
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0
元件数量 1 1 - 1 1
端子数量 3 3 - 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP - PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES - YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz - 50 MHz 50 MHz

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