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CMPF4392

产品描述SURFACE MOUNT N-CHANNEL SILICON JFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小336KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPF4392概述

SURFACE MOUNT N-CHANNEL SILICON JFET

CMPF4392规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏源导通电阻60 Ω
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)3.5 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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CMPF4391
CMPF4392
CMPF4393
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
SILICON JFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF4391 series
types are N-Channel Silicon Field Effect Transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a surface mount package, designed for
switching applications.
MARKING CODE:
CMPF4391:
6J
CMPF4392:
6K
CMPF4393:
6G
SYMBOL
VGD
VGS
VDS
IG
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Gate Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
40
40
40
50
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMPF4391
CMPF4392
SYMBOL
IGSS
IGSS
IDSS
ID(OFF)
ID(OFF)
ID(OFF)
ID(OFF)
ID(OFF)
ID(OFF)
BVGSS
VGS(OFF)
VGS(f)
VDS(ON)
VDS(ON)
VDS(ON)
rDS(ON)
rds(ON)
Ciss
TEST CONDITIONS
VGS=20V
VGS=20V, TA=100°C
VDS=20V
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VGS=12V
VGS=7.0V
VGS=5.0V
VGS=12V, TA=100°C
VGS=7.0V, TA=100°C
VGS=5.0V, TA=100°C
MIN
-
-
50
-
-
-
-
-
-
40
4.0
-
-
-
-
-
-
-
MAX
0.1
0.2
150
0.1
-
-
0.2
-
-
-
10
1.0
0.4
-
-
30
30
14
MIN
-
-
25
-
-
-
-
-
-
40
2.0
-
-
-
-
-
-
-
MAX
0.1
0.2
75
-
0.1
-
-
0.2
-
5.0
1.0
-
0.4
-
60
60
14
CMPF4393
MIN
-
-
5.0
-
-
-
-
-
-
40
0.5
-
-
-
-
-
-
-
MAX
0.1
0.2
30
-
-
0.1
-
-
0.2
-
3.0
1.0
-
-
0.4
100
100
14
UNITS
nA
µA
mA
nA
nA
nA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
V
Ω
Ω
pF
IG=1.0µA
VDS=20V, ID=1.0nA
IG=1.0mA
ID=12mA
ID=6.0mA
ID=3.0mA
ID=1.0mA, VGS=0
VGS=0, ID=0, f=1.0kHz
VDS=20V, VGS=0, f=1.0MHz
R5 (27-January 2010)

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