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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLT3906EG
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CMLT3906EG

产品描述ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小522KB，共3页
制造商Central Semiconductor
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CMLT3906EG概述

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CMLT3906EG规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PICOMINI-6
针数6
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)55
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间（toff）250 ns
最大开启时间（吨）70 ns

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CMLT3904E CMLT3904EG* NPN
CMLT3906E CMLT3906EG* PNP
CMLT3946E CMLT3946EG* NPN/PNP
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices
are combinations of dual, enhanced specification
transistors in a space saving SOT-563 package,
designed for small signal general purpose amplifier and
switching applications.
MARKING CODES: CMLT3904E:
CMLT3906E:
CMLT3946E:
CMLT3904EG*:
CMLT3906EG*:
CMLT3946EG*:
L04
L06
L46
C4G
C6G
46G
SOT-563 CASE
*
Device is
Halogen Free
by design
ENHANCED SPECIFICATIONS:
♦
BVCBO from 40V MIN to 60V MIN (PNP)
♦
BVEBO from 5.0V MIN to 6.0V MIN (PNP)
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
♦
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
♦
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
♦
hFE from 60 MIN to 70 MIN (NPN/PNP)
♦
VCE(SAT) from 0.3V MAX to 0.2V MAX (NPN)
from 0.4V MAX to 0.2V MAX (PNP)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW
mW
°C
°C/W
60
40
6.0
200
350
300
150
-65 to +150
357
♦
BVCBO
BVCEO
♦
BVEBO
♦
VCE(SAT)
♦
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
♦
hFE
♦
hFE
hFE
♦
hFE
hFE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
PNP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
TYP
MAX
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
-
-
-
50
IC=10µA
IC=1.0mA
IE=10µA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
60
40
6.0
-
-
0.65
-
90
100
100
70
30
115
60
7.5
0.057
0.100
0.75
0.85
240
235
215
110
50
90
55
7.9
0.050
0.100
0.75
0.85
130
150
150
120
55
-
-
-
0.100
0.200
0.85
0.95
-
-
300
-
-
UNITS
nA
V
V
V
V
V
V
V
♦
Enhanced Specification
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
R4 (20-January 2010)

CMLT3906EG相似产品对比

CMLT3906EG CMLT3904E_10 CMLT3946EG CMLT3904EG
描述 ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 PICOMINI-6 - PICOMINI-6 PICOMINI-6
针数 6 - 6 6
Reach Compliance Code _compli - _compli _compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A - 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V - 40 V 40 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 55 - 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 - R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
JESD-609代码 e0 - e0 e0
元件数量 2 - 2 2
端子数量 6 - 6 6
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP - NPN AND PNP NPN
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT - FLAT FLAT
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz - 300 MHz 300 MHz
最大关闭时间（toff） 250 ns - 250 ns 250 ns
最大开启时间（吨） 70 ns - 70 ns 70 ns

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