CMLT3904E_10,CMLT3904E_10 pdf中文资料,CMLT3904E_10引脚图,CMLT3904E

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CMLT3904E_10: 产品描述ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS; 文件大小522KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CMLT3904E_10概述

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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CMLT3904E CMLT3904EG* NPN

CMLT3906E CMLT3906EG* PNP

CMLT3946E CMLT3946EG* NPN/PNP

ENHANCED SPECIFICATION

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY

SILICON TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices

are combinations of dual, enhanced specification

transistors in a space saving SOT-563 package,

designed for small signal general purpose amplifier and

switching applications.

MARKING CODES: CMLT3904E:

CMLT3906E:

CMLT3946E:

CMLT3904EG*:

CMLT3906EG*:

CMLT3946EG*:

L04

L06

L46

C4G

C6G

46G

SOT-563 CASE

Device is

Halogen Free

by design

ENHANCED SPECIFICATIONS:

♦

BVCBO from 40V MIN to 60V MIN (PNP)

♦

BVEBO from 5.0V MIN to 6.0V MIN (PNP)

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

♦

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

♦

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation (Note 1)

Power Dissipation (Note 2)

Power Dissipation (Note 3)

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

♦

hFE from 60 MIN to 70 MIN (NPN/PNP)

♦

VCE(SAT) from 0.3V MAX to 0.2V MAX (NPN)

from 0.4V MAX to 0.2V MAX (PNP)

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

6.0

200

350

300

150

-65 to +150

357

♦

BVCBO

BVCEO

♦

BVEBO

♦

VCE(SAT)

♦

VCE(SAT)

VBE(SAT)

♦

hFE

♦

hFE

♦

hFE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:

(TA=25°C unless otherwise noted)

NPN

PNP

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

ICEV

VCE=30V, VEB=3.0V

IC=10µA

IC=1.0mA

IE=10µA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

VCE=1.0V, IC=0.1mA

VCE=1.0V, IC=1.0mA

VCE=1.0V, IC=10mA

VCE=1.0V, IC=50mA

VCE=1.0V, IC=100mA

6.0

0.65

100

115

7.5

0.057

0.100

0.75

0.85

240

235

215

110

7.9

0.050

0.100

0.75

0.85

130

150

120

0.100

0.200

0.85

0.95

300

UNITS

♦

Enhanced Specification

Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm

(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm

(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm

R4 (20-January 2010)

CMLT3904E_10相似产品对比

	CMLT3904E_10	CMLT3906EG	CMLT3946EG	CMLT3904EG
描述	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
是否无铅	-	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合
厂商名称	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	-	PICOMINI-6	PICOMINI-6	PICOMINI-6
针数	-	6	6	6
Reach Compliance Code	-	_compli	_compli	_compli
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	-	0.2 A	0.2 A	0.2 A
集电极-发射极最大电压	-	40 V	40 V	40 V
配置	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	-	55	30	30
JESD-30 代码	-	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6
JESD-609代码	-	e0	e0	e0
元件数量	-	2	2	2
端子数量	-	6	6	6
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	-	PNP	NPN AND PNP	NPN
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	-	YES	YES	YES
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	-	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	-	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	-	300 MHz	300 MHz	300 MHz
最大关闭时间（toff）	-	250 ns	250 ns	250 ns
最大开启时间（吨）	-	70 ns	70 ns	70 ns

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