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CBCX68: 产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTORS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小288KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CBCX68概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTORS

CBCX68规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	20 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	85
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	1.2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	65 MHz

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CBCX68 SERIES NPN

CBCX69 SERIES PNP

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY SILICON

SMALL SIGNAL TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCX68 and

CBCX69 series types are complementary silicon

transistors manufactured by the epitaxial planar

process, epoxy molded in a surface mount package,

designed for applications requiring high current

capability.

MARKING: FULL PART NUMBER

SOT-89 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continous Collector Current

Peak Collector Current

Continuous Base Current

Peak Base Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCES

VCEO

VEBO

ICM

IBM

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

5.0

1.0

2.0

100

200

1.2

-65 to +150

104

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICBO

VCB=25V

ICBO

VCB=25V, TA=150°C

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(ON)

hFE

VEB=5.0V

IC=10µA

IC=10mA

IE=1.0µA

IC=1.0A, IB=100mA

VCE=10V, IC=5.0mA

VCE=1.0V, IC=1.0A

VCE=10V, IC=5.0mA

VCE=1.0V, IC=500mA (CBCX68, CBCX69)

VCE=1.0V, IC=500mA (CBCX68-16, CBCX69-16)

VCE=1.0V, IC=500mA (CBCX68-25, CBCX69-25)

VCE=1.0V, IC=1.0A

VCE=5.0V, IC=10mA, f=20MHz

100

160

5.0

TYP

MAX

100

UNITS

µA

0.5

0.6

1.0

375

250

400

MHz

R10 (4-January 2010)

CBCX68相似产品对比

	CBCX68	CBCX68_10	CBCX69
描述	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTORS	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTORS	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTORS
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	-	Central Semiconductor
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3	-	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3	-	3
Reach Compliance Code	_compli	-	_compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	-	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	-	1 A
集电极-发射极最大电压	20 V	-	20 V
配置	SINGLE	-	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	85	-	85
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	-	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e0	-	e0
元件数量	1	-	1
端子数量	3	-	3
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	-	PNP
最大功率耗散 (Abs)	1.2 W	-	1.2 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT	-	FLAT
端子位置	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON
标称过渡频率 (fT)	65 MHz	-	65 MHz

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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