5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
5 A, 200 V, NPN, 硅, 功率晶体管
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 200 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
JESD-30 代码 | R-XDSO-N3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2N5666U3 | 2N5664_1 | 2N5666S | |
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描述 | 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
表面贴装 | YES | Yes | NO |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | WIRE |
端子位置 | DUAL | DUAL | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 5 A | - | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 200 V | - | 200 V |
配置 | SINGLE | - | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 5 | - | 5 |
JESD-30 代码 | R-XDSO-N3 | - | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
最高工作温度 | 200 °C | - | 200 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR | - | ROUND |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | - | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 35 W | - | 15 W |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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