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2N5666U3

产品描述5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2N5666U3概述

5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

5 A, 200 V, NPN, 硅, 功率晶体管

2N5666U3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JESD-30 代码R-XDSO-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2N5666U3相似产品对比

2N5666U3 2N5664_1 2N5666S
描述 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
表面贴装 YES Yes NO
端子形式 NO LEAD NO LEAD WIRE
端子位置 DUAL DUAL BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 5 A - 5 A
集电极-发射极最大电压 200 V - 200 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 - 5
JESD-30 代码 R-XDSO-N3 - O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 - e0
最高工作温度 200 °C - 200 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED - METAL
封装形状 RECTANGULAR - ROUND
封装形式 SMALL OUTLINE - CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 35 W - 15 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
端子面层 TIN LEAD - TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 - 1
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