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M0358WC140

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 358A, 1400V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小365KB,共11页
制造商IXYS
标准  
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M0358WC140概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 358A, 1400V V(RRM), Silicon,

M0358WC140规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流2450 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流358 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1400 V
最大反向恢复时间1.4 µs
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

M0358WC140相似产品对比

M0358WC140 M0358WC160
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 358A, 1400V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 358A, 1600V V(RRM), Silicon,
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IXYS IXYS
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 SOFT RECOVERY SOFT RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-MUPM-H1 O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流 2450 A 2450 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 358 A 358 A
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1400 V 1600 V
最大反向恢复时间 1.4 µs 1.4 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 HIGH CURRENT CABLE HIGH CURRENT CABLE
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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