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HVC357

产品描述Variable Capacitance Diode, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB,共3页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

HVC357概述

Variable Capacitance Diode, Silicon

HVC357规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小二极管电容比1.3
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压10 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL

HVC357文档预览

ADE-208-417(Z)
HVC357
Variable Capacitance Diode
for VCO
Rev. 0
Nov. 1995
Features
• Low series resistance. (r
s
=0.35
max)
• Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for
surface mount design.
Outline
Cathode mark
Mark
1
2
1. Cathode
2. Anode
Ordering Information
Type No.
HVC357
Laser Mark
J
Package Code
UFP
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
T
j
Tstg
Value
10
125
-55 to +125
Unit
V
°C
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Reverse current
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
Symbol
I
R1
I
R2
C
1
C
2
n
r
s
Min
19.5
14.3
1.3
Typ
Max
10
100
23.5
17.6
0.35
Unit
nA
pF
Test Condition
V
R
= 10 V
V
R
= 10 V , Ta = 60 °C
V
R
= 1 V , f = 1 MHz
V
R
= 2 V , f = 1 MHz
C
1
/ C
2
V
R
= 1 V , f = 470MHz
HVC357
10
-10
40
f=1MHz
Reverse current I
R
(A)
10
-12
Capacitance C (pF)
10
-11
30
20
10
-13
10
10
-14
0
5
10
Reverse voltage V
R
(V)
Fig.1 Reverse current Vs.
Reverse voltage
15
0
10
-1
1.0
Reverse voltage V
R
(V)
Fig.2 Capacitance Vs.
Reverse voltage
10
0.4
f=470MHz
0
Series resistance r
s
(
)
0.3
L
F
=
(LogC)/
(LogV
R
)
0.5
1.0
10
Reverse voltage V
R
(V)
30
-0.5
0.2
-1.0
0.1
0
-1.5
10
-1
1.0
Reverse voltage V
R
(V)
Fig.4 Linearity factor Vs.
Reverse voltage
10
Fig.3 Series resistance
Vs. Reverse voltage
HVC357
Package Dimensions
Unit: mm
Cathode Mark
J
1.2 ± 0.10
1.6 ± 0.10
0.3 ± 0.05
0.8 ± 0.10
1 Cathode
2 Anode
0.6 ± 0.10
HITACHI Code
JEDEC Code
EIAJ Code
Weight (g)
UFP
SC-79
0.0016
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