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CMPTA42ELEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小328KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMPTA42ELEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

CMPTA42ELEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压350 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)75 MHz

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CMPTA42E NPN
CMPTA92E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
HIGH VOLTAGE
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA42E and
CMPTA92E are Enhanced versions of the CMPTA42
and CMPTA92 complementary surface mount high
voltage transistors.
MARKING CODES: CMPTA42E: C1DE
CMPTA92E: C2DE
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
BVCBO from 300V min to 350V min.
BVCEO from 300V min to 350V min.
hFE from 25 min to 50 min.
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
350
350
6.0
500
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Power Dissipation
Continuous Collector Current
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TYP
SYMBOL
ICBO
IEBO
TEST CONDITIONS
VCB=200V
VEB=3.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=100µA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=20mA, IB=2.0mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=30mA
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz
350
350
6.0
590
475
8.7
125
50
50
50
50
110
110
110
75
500
450
9.6
150
105
105
105
75
6.0
MHz
pF
350
0.9
MIN
CMPTA42E
CMPTA92E
MAX
250
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
V
BVCBO
BVCEO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
BVEBO
hFE
hFE
fT
Cob
Enhanced specification
R3 (3-February 2010)

CMPTA42ELEADFREE相似产品对比

CMPTA42ELEADFREE CMPTA42ETRLEADFREE CMPTA42EBKLEADFREE CMPTA92ETRLEADFREE CMPTA92ELEADFREE
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Transistor Transistor Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
配置 SINGLE Single Single Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50 50 50
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 75 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 75 MHz
最大功率耗散 (Abs) - 0.35 W 0.35 W 0.35 W -
Base Number Matches - 1 1 1 -

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